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Table des mati`
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4.1.2 Transformations possibles en ´electronique de puissance . . . . . .
4.1.3 Structure g´en´erale d’un convertisseur en ´electronique de puissance
4.1.4 Applications de l’´electronique de puissance . . . . . . . . . . . . .
4.1.5 Semiconducteurs de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
La diode de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.1 Structure de base d’une diode de puissance . . . . . . . . . . . . .
4.2.2 Principe de fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.3 Caract´eristique statique d’une diode de puissance . . . . . . . . .
4.2.4 Pertes a` l’´etat passant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.5 Caract´eristiques en commutation . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.6 Diode Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Le thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3.1 Constitution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3.2 Fonctionnement du thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3.3 Probl`emes li´es `a l’amor¸cage et au bloquage des thyristors . . . . .
4.3.4 Applications industrielles des thyristors . . . . . . . . . . . . . . .
Le triac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4.1 Structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4.2 Fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4.3 Caract´eristique du triac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4.4 Amor¸cage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4.5 Applications du triac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.4.6 Le diac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Le thyristor GTO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.5.1 Constitution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.5.2 Avantage essentiel du GTO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.5.3 Utilisations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Le transistor bipolaire de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.6.1 Structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.6.2 Transistor Darlington monolithique . . . . . . . . . . . . . . . . .
Le MOSFET de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7.1 Constitution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7.2 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7.3 Caract´eristique statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7.4 Circuit ´equivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7.5 Caract´eristique dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7.6 Utilisation du MOSFET de puissance . . . . . . . . . . . . . . . .
L’IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.8.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.8.2 Structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.8.3 Circuit ´equivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.8.4 Symboles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.8.5 Caract´eristique statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.8.6 Carat´eristiques dynamiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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HAGGEGE,
2003

cours de technologie g´
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